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厂商型号

FMG2G100US60_Q 

产品描述

IGBT Transistors 600V/100A/2

内部编号

3-FMG2G100US60-Q

订购说明

质量保障

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FMG2G100US60_Q产品详细规格

规格书 FMG2G100US60_Q datasheet 规格书
Status Obsolete
RoHS No
配置 Dual
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
集电极 - 发射极饱和电压 2.2 V
最大栅极发射极电压 +/- 20 V
连续集电极电流在25 C 100 A
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 100 nA
功率耗散 400 W
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 7PM-GA-7
封装 Bulk
最低工作温度 - 40 C
安装风格 Screw
寿命 Obsolete

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